Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMJ1028N
MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- FDMJ1028N
FDMJ1028N Hakkında
FDMJ1028N, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol devrelerinde kolaylıkla kullanılabilir. 90mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 6-UDFN Surface Mount paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren anahtarlama, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFET 2x2 Thin |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok