Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMJ1023PZ

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
6-WFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMJ1023

FDMJ1023PZ Hakkında

FDMJ1023PZ, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal dual P-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 112mOhm (Vgs=4.5V, Id=2.9A) on-resistance değeri ile düşük güç kayıplarını sağlar. 6-WFDFN exposed pad paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve sinyal kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 700mW güç tüketebilir. Logic level gate özelliği nedeniyle düşük voltaj kontrol sinyalleriyle doğrudan uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package SC-75, MicroFET
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok