Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDME1034CZT

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
6-UFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDME1034CZ

FDME1034CZT Hakkında

FDME1034CZT, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal Field-Effect Transistor dizisidir. N-Channel ve P-Channel MOSFET'leri içeren bu bileşen, 20V drain-source voltajında 3.8A ve 2.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük gate voltajında çalışır (Vgs(th) max 1V @ 250µA). 66mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 4.2nC gate charge ve 300pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, 600mW güç dissipasyonuna kadir. 6-UFDFN yüzeye monte pakajında sunulan FDME1034CZT, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve sinyal işleme sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A, 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 600mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-MicroFET (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok