Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDME1023PZT

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
6-UFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDME1023

FDME1023PZT Hakkında

FDME1023PZT, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. Small signal uygulamalar için tasarlanmış bu komponent, 20V Drain-to-Source voltaj ve 2.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük kontrol voltajlarında çalışabilir. 142mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli işletme sağlar. 6-UFDFN Surface Mount paketinde sunulan FDME1023PZT, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunur. Analog sinyalleri anahtarlamak, güç yönetimi devrelerinde, sinyal multiplexing uygulamalarında ve çeşitli konsümer elektronik cihazlarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 600mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Supplier Device Package 6-UMLP (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok