Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMD8900
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 12-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMD8900
FDMD8900 Hakkında
FDMD8900, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power Field-Effect Transistor (FET) olup, 30V drain-source gerilimi ile yüksek akım anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. Kanal başına 19A sürekli drain akımı kapasitesi ve 4mOhm on-direnci (Rds On) ile güç uygulamalarında verimli çalışma sağlar. Surface mount 12-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygundur. 2.1W maksimum güç yayılımı ve düşük gate charge (35nC) hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A, 17A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2605pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | 12-Power3.3x5 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok