Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMD86100
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMD86100
FDMD86100 Hakkında
FDMD86100, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power field-effect transistor (MOSFET) dizisidir. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10.5mΩ on-state direnç değeri ile düşük kayıpla anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 4V gate threshold voltajı ve 30nC gate yükü özellikleriyle hızlı anahtarlama sağlar. Surface mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-Power 5x6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok