Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMD8540L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMD8540L
FDMD8540L Hakkında
FDMD8540L, Rochester Electronics tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda çalışan Power Field-Effect Transistor'dür. Maksimum drain-source gerilimi 40V olan bu transistör, 33A ile 156A arasında sürekli drenaj akımı sağlayabilir. Düşük on-direnci (RDS On) 1.5mOhm @ 33A, 10V değeriyle verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, gate charge 113nC @ 10V olup hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 8-PowerWDFN yüzey montaj paketinde sunulan FDMD8540L, güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A, 156A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7940pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 33A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-Power 5x6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok