Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMD85100
MOSFET 2N-CH 100V
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMD85100
FDMD85100 Hakkında
FDMD85100, onsemi tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonlu MOSFET transistörtür. 100V Drain to Source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Maksimum 10.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, RDS(on) değeri 9.9mOhm (10.4A, 10V) ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate Charge 31nC ve Input Capacitance 2230pF değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Surface Mount montajına uygun 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve inverter uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9mOhm @ 10.4A, 10V |
| Supplier Device Package | Power56 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok