Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMD8280
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 12-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMD8280
FDMD8280 Hakkında
FDMD8280, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Küçük sinyal uygulamaları için tasarlanan bu bileşen, maksimum 80V drain-source gerilimi ile çalışabilir ve 11A sürekli drain akımını destekler. Surface mount 12-PowerWDFN paketi içinde sunulan FDMD8280, anahtarlama devreleri, güç dönüştürme uygulamaları ve hızlı switching gerektiren endüstriyel elektronik tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışan bileşen, düşük on-state direnci (8.2mOhm @ 11A, 10V) ve optimum gate charge özellikleri ile enerji verimli sistemlerde tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 12-Power3.3x5 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok