Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMD8260LET60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 12-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMD8260
FDMD8260LET60 Hakkında
FDMD8260LET60, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel power field-effect transistor (MOSFET) dizisidir. 60V drain-source voltaj ve 15A sürekli dren akımı kapasitesi ile medium-power uygulamalarında kullanılır. 5.8mOhm on-state direnci (Rds On) ve 68nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve gömülü sistem uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve DC/DC konvertörlerde tercih edilir. Surface mount 12-PowerWDFN paketi ile sıkı PCB tasarımlarına uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5245pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 12-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 12-Power3.3x5 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok