Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMD8260L
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 12-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMD8260L
FDMD8260L Hakkında
FDMD8260L, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 15A sürekli drain akımı ile çalışan bu küçük sinyal transistörü, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 5.8mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PowerWDFN 12 paket içinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gözleme, motor kontrolü, güç dönüştürme devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5245pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 12-Power3.3x5 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok