Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMD82100
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 12-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDMD82100
FDMD82100 Hakkında
FDMD82100, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. Small signal alan etkili transistör olarak tasarlanan bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. 19mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaynakta direnç sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Surface mount paketi ile PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1070pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 12-Power3.3x5 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok