Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMC6890NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- FDMC6890
FDMC6890NZ Hakkında
FDMC6890NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel power field-effect transistor'dür. 6-WDFN Exposed Pad yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 20V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli Drain akımı kapasitesine sahip transistör, 68mOhm (4.5V, 4A) on-state direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Giriş kapasitansi maksimum 270pF (10V) olup, gate yükü 3.4nC (4.5V) değerindedir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı ve 1.92W maksimum güç disipasyonu ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda, switch modlu güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.92W, 1.78W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFET 3x3mm |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok