Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDMA3028N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
6-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMA3028N

FDMA3028N Hakkında

FDMA3028N, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu transistör, küçük sinyal uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 30V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 68mOhm (4.5V, 3.8A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 5.2nC gate charge ve 375pF input capacitance parametreleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun performans sunar. 6-pin VDFN SMD pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, sürücü uygulamaları ve genel amaçlı MOSFET uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-VDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok