Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDMA1025P
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- FDMA1025P
FDMA1025P Hakkında
FDMA1025P, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel power field-effect transistor'dür. 20V drain-source geriliminde 3.1A sürekli drenaj akımı sağlayan bu transistör, logic level gate özelliğine sahiptir ve 4.5V gate voltajında 155mOhm on-resistance değerine ulaşır. 6-VDFN Surface Mount paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Yüksek frekans anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 700mW maksimum güç dissipasyonuna ve 4.8nC gate charge'a sahip olan FDMA1025P, düşük on-resistance ve hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 3.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok