Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDM3300NZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- FDM3300
FDM3300NZ Hakkında
FDM3300NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu komponent, 20V drain-source voltaj ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 23mOhm on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerVDFN pakette sunulan FDM3300NZ, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge değeri (17nC) sayesinde, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılabilir. Düşük input kapasitans (1610pF) ile sürücü gereksinimlerini azaltır. Komponent Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1610pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 10A, 4.5V |
| Supplier Device Package | Power33 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok