Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDM2509NZ
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- FDM2509
FDM2509NZ Hakkında
FDM2509NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliği ile düşük gate voltajı gereksinimleri olan uygulamalara uyum sağlar. 20V drain-source voltaj kapasitesi ve 8.7A sürekli drain akımı ile çeşitli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 18mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 6-UDFN paket tipinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama aplikasyonlarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | MicroFET 2x2 Thin |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok