Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDM2509NZ

MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDM2509

FDM2509NZ Hakkında

FDM2509NZ, onsemi tarafından üretilen çift N-kanallı (dual) MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 8.7A sürekli drain akımı ile işletme kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrol devrelerinde doğrudan kullanılabilir. 18mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimalize eder. 800mW maksimum güç dağılımı kapasitesi vardır. Surface mount 6-UDFN Exposed Pad pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Motor kontrolleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve gömülü sistem tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. NOT: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Supplier Device Package MicroFET 2x2 Thin
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok