Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDM2452NZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
6-WFDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDM2452

FDM2452NZ Hakkında

FDM2452NZ, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 6-WFDFN Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, 30V drain-source voltajı ve 8.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 21mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 19nC gate charge ve 980pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özelliği sağlar. 800mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 980pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.1A, 4.5V
Supplier Device Package 6-MLP (2x5)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok