Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDG6335N

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG6335N

FDG6335N Hakkında

FDG6335N, onsemi tarafından üretilen çift N-channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss ile 700mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip bu transistör, 4.5V gate voltajında 300mOhm (maksimum) on-resistance değerine ulaşır. SOT-363 (SC-88) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve sinyal kontrolü için kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 1.4nC gate charge ve 113pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon performansı sağlar. Mobil cihazlar, güç yönetimi, sensör uygulamaları ve analog switches gibi alanlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok