Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDG6332C

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG6332C

FDG6332C Hakkında

FDG6332C, onsemi tarafından üretilen çift kanal (N-Channel ve P-Channel) MOSFET transistörüdür. Logic level gate sürüldüğünde çalışan bu bileşen, 20V drain-source geriliminde 700mA (N-Ch) ve 600mA (P-Ch) drain akımına sahiptir. SC70-6 (6-TSSOP) surface mount paketinde sunulan bu transistör, düşük kapı yükü (1.5nC @ 4.5V) ve düşük on-resistance (300mOhm @ 700mA) karakteristiğiyle anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDG6332C, 300mW maksimum güç harcaması ile mobil cihazlar, IoT uygulamaları, güç yönetimi ve sinyal anahtarlamada yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 700mA, 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok