Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDG6322C
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
FDG6322C Hakkında
FDG6322C, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu komponent, logic level gate özelliğine sahiptir ve 220mA/410mA sürekli drenaj akımı sağlar. SC-70-6 (TSSOP-6) yüzey montaj paketinde sunulan FDG6322C, düşük kapı yükü (0.4nC) ve minimal input kapasitansı (9.5pF) özellikleriyle anahtarlama hızını optimize eder. 4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 300mW güç yönetimi kapasitesiyle masaüstü ve taşınabilir cihazlardaki voltaj düzenleme, sinyal anahtarlaması ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA, 410mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 220mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok