Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDG6321C-F169
INTEGRATED CIRCUIT
FDG6321C-F169 Hakkında
FDG6321C-F169, onsemi tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizi entegre devresidir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu komponent, düşük geçiş direnci ve kontrollü gate charge değerleriyle kompakt uygulamalarda tercih edilir. 25V drain-source voltaj kapasitesiyle çeşitli anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500mA ve 410mA drain akımı kapasiteleri, tüketici elektroniği, güç yönetimi devreleri ve analog switch uygulamalarında yer bulur. Surface mount SC-88/SOT-363 paketi ile PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve geniş sıcaklık uygulamalarına uygun olup, 300mW maksimum güç tüketimiyle düşük güç tasarımlarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta), 410mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V, 62pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok