Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDG6318PZ

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG6318P

FDG6318PZ Hakkında

FDG6318PZ, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 500mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 4.5V gate geriliminde 780mΩ on-direnci değerine ulaşır. 6-TSSOP (SC-88) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, düşük güç tüketimi gerektiren taşınabilir cihazlar, güç yönetimi devreleri ve sinyal anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 150°C) sayesinde endüstriyel ortamlarda da kullanılabilir. Düşük kapı yükü (1.62nC) ve minimum kapı eşik gerilimi (1.5V) ile hızlı anahtarlama ve enerji verimli tasarımlara olanak sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 85.4pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok