Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDG6318P

MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG6318P

FDG6318P Hakkında

FDG6318P, onsemi tarafından üretilen çift P-Channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source geriliminde 500mA sürekli akım kapasitesine sahiptir. 6-pin SC-88 (SOT-363) surface mount paketinde sunulan FDG6318P, düşük gate charge (1.2nC) ve düşük RDS(on) (780mΩ) değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, hassas sinyal işleme, power management, anahtarlama regülatörleri ve genel dijital devrelerde yer alır. Maksimum 300mW güç tüketimi ile düşük güç tasarımlarına uygundur. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 780mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok