Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDG6313N
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
FDG6313N Hakkında
FDG6313N, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve düşük RDS(on) değeri (450mOhm @ 500mA, 4.5V) ile karakterizedir. 6-TSSOP (SC-70-6) yüzey montaj paketinde sunulan FDG6313N, 300mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile küçük sinyali anahtarlama uygulamalarında, akım kontrol devrelerinde ve PWM uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok