Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDG6308P

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG6308P

FDG6308P Hakkında

FDG6308P, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörü olup, Surface Mount SC-88 (SOT-363) paketinde sunulmaktadır. 20V Drain-Source gerilim ve 600mA sürekli drain akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 4.5V sürülme geriliminde 400mΩ maksimum RDS(On) değerine ulaşmaktadır. Gate Charge değeri 2.5nC @ 4.5V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilmektedir. Maksimum 300mW güç tüketimi ile düşük güçlü anahtarlama, driver ve lojik kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. Logic Level gate özelliği sayesinde standart lojik seviyeleriyle doğrudan sürülebilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok