Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDG6306P

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG6306P

FDG6306P Hakkında

FDG6306P, onsemi tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. SC-88 (6-TSSOP) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltajında 600mA sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özelliğine sahip olup, 4.5V gate voltajında 420mΩ maksimum RDS(on) değerine ve 1.5V threshold voltajına sahiptir. 300mW maksimum güç dissipasyonu ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, akım kontrol devreleri ve sinyal switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 114pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok