Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDG6304P-F169
INTEGRATED CIRCUIT
FDG6304P-F169 Hakkında
FDG6304P-F169, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip olan bu entegre devre, 25V drain-source gerilimi ve 410mA sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. 1.1Ω on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. 300mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve güç denetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 410mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok