Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDG6303N_G
INTEGRATED CIRCUIT
FDG6303N_G Hakkında
FDG6303N_G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu entegre devre, 25V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 450mOhm RDS(on) değeri ile düşük açık-devrede direnci vardır. 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve dijital lojik arayüz uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 300mW maksimum güç dissipasyonu desteği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok