Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDG6302P
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- FDG6302P
FDG6302P Hakkında
FDG6302P, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. Logic Level gate özelliği ile düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışmaya uygun olan bu bileşen, maksimum 25V drain-source gerilimi ve 140mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Rds(On) değeri 4.5V gate geriliminde 10Ohm olup, güç tüketimi 300mW ile sınırlandırılmıştır. SC-88 (SOT-363) yüzey montajlı paketinde sunulan FDG6302P, analog anahtarlama, voltaj seviye dönüştürme ve düşük sinyalli röle kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Düşük gate yükü (0.31nC) ve giriş kapasitanslı (12pF) yapısı sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimli tasarımlar gerçekleştirmeye olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 140mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 140mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88 (SC-70-6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok