Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDG6301N-F085P
DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
FDG6301N-F085P Hakkında
FDG6301N-F085P, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 25V drain-source voltajında 220mA sürekli drain akımı sağlayabilir. 4Ohm on-state direnci ile düşük kayıplar sunan ve 300mW maksimum güç dissipasyonuna sahip olan FDG6301N, anahtarlama uygulamaları, DC motor sürücüleri, yük anahtarlama devreleri ve sinyal amplifikasyonu gibi alanlarda kullanılır. SC-88 (SC70-6) SMD paketinde sunulan bu çift transistör entegre -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 0.4nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 300mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 220mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok