Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDG6301N

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
FDG6301N

FDG6301N Hakkında

FDG6301N, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj ve 220mA sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 4.5V beslemede 4Ω on-resistance değeri sunar. Düşük gate charge (0.4nC) ve düşük input capacitance (9.5pF) özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygunluğunu gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 300mW maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalarda, sinyal anahtarlaması, logic kontrolü ve düşük güç dijital devrelerde kullanılır. SC-88 (SC-70-6) 6-pin surface mount paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uyarlanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88 (SC-70-6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok