Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDD3510H
MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
FDD3510H Hakkında
FDD3510H, onsemi tarafından üretilen N-Channel ve P-Channel MOSFET'lerin entegre edildiği bir komponenttir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 80V Drain-Source gerilimi ile çalışır ve N-Channel için 4.3A, P-Channel için 2.8A sürekli drain akımı sağlar. Logic Level Gate özelliğine sahip olan FDD3510H, düşük gate voltaj gereksinimi (Vgs(th) maksimum 4V @ 250µA) ile çalışır. 80mOhm on-resistance (Vgs=10V, Id=4.3A) değeri ile güç kaybını minimize eder. Maksimum 1.3W güç dağıtabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve inverter devreleri gibi alanlarda kullanılır. 18nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A, 2.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 (DPak) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok