Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDC6561AN

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC6561AN

FDC6561AN Hakkında

FDC6561AN, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj desteği ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 95mOhm (10V, 2.5A) on-resistance değeri ile verimli güç aktarımı sağlar. Surface mount SOT-23-6 paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale gelmiştir. Kısıtlı güç bütçesi gerektiren portatif cihazlar, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç yönetimi devreleri başta olmak üzere çeşitli elektronik uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok