Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDC6506P
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- FDC6506P
FDC6506P Hakkında
FDC6506P, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli akım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevlerinde kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük sinyal seviyeleriyle kontrol edilebilir. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, pil yönetimi, güç dönüştürücüleri, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok