Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- FDC6401N
FDC6401N Hakkında
FDC6401N, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj derecelendirilmiş ve 3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 70mOhm (4.5V, 3A) on-state direnç değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. SOT-23-6 (SuperSOT-6) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 700mW maksimum güç tüketimi ile sınırlandırılmıştır. Düşük gate charge (4.6nC) ve input capacitance (324pF) değerleri hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Motor kontrolü, güç yönetimi, sinyal anahtarlaması ve genel amaçlı DC anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 1.5V gate threshold voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyeleri ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok