Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDC6322C

MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC6322C

FDC6322C Hakkında

FDC6322C, onsemi tarafından üretilen ikili N ve P-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj değeriyle ve logic level gate özelliğiyle düşük gerilim uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. SOT-23-6 yüzey monte paketi ile kompakt devre tasarımlarına uyum sağlar. 220mA ve 460mA continuous drain akımı kapasitesi, 4Ω RDS(on) değeri ve 700mW maksimum güç derecelendirmesiyle genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve invertör devreleri gibi uygulamalarda çalışır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir operasyon sağlayan bu komponent, düşük gate yükü (0.7nC) sayesinde hızlı geçiş karakteristiği sunmaktadır. Endüstriyel kontrolü, güç yönetimi ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA, 460mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok