Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDC6318P
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- FDC6318P
FDC6318P Hakkında
FDC6318P, onsemi tarafından üretilen çift P-channel MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 12V dren-kaynak gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 90mΩ on-direnç (Vgs 4.5V, Id 2.5A) ve 1.5V eşik gerilimi ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 700mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi, -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, akım kontrolü ve anahtarlama devreleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 6V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok