Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDC6312P

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC6312P

FDC6312P Hakkında

FDC6312P, onsemi tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilim (Vdss) ile 2.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gate gerilim seviyelerinde çalışabilir ve 4.5V'ta maximum 115mΩ on-resistance değerine ulaşır. Surface mount SSOT-6 paketi ile kompakt PCB tasarımlarında kullanılır. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 700mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 467pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.3A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok