Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDC6310P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- FDC6310P
FDC6310P Hakkında
FDC6310P, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. Small signal uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahip olup düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 20V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 2.2A sürekli drenaj akımı ile güç yönetimi, anahtarlama ve sinyal kontrolü uygulamalarında kullanılır. 125mOhm RDS(on) değeri ile düşük kaybı işletim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bileşen, Surface Mount SOT-23-6 paketinde sunulmaktadır. Mobil cihazlar, batarya yönetim sistemleri, güç dağıtım devreleri ve analog sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 337pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok