Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDC6310P

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC6310P

FDC6310P Hakkında

FDC6310P, onsemi tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim ve 2.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleri ile çalışabilir. 125mOhm RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybına neden olur. Yüksek sıcaklık uygulamalarında kullanılabilecek şekilde -55°C ile 150°C aralığında çalışır. Kompakt SSOT-6 (SOT-23-6) paketlemesinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve düşük güçlü analog devrelerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 337pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok