Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDC6308P
P-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- FDC6308P
FDC6308P Hakkında
FDC6308P, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 20V Drain-Source voltajı ve 1.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. 180mΩ on-state direnci (Rds On), düşük güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 700mW maksimum güç derecelendirmesi ile portatif cihazlar, güç yönetimi devreleri ve analog anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük kapı yükü (5nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile mobil elektronik, enerji hasat sistemleri ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok