Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDC6306P
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- FDC6306
FDC6306P Hakkında
FDC6306P, onsemi tarafından üretilen çift P-kanallı MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 1.9A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montajlı paket ile sunulan FDC6306P, 4.5V'ta 170mOhm düşük RDS(On) direnci sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (4.2nC @ 4.5V) ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi, analog anahtarlar ve sinyal kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Maksimum 700mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 441pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok