Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDC6304P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- FDC6304P
FDC6304P Hakkında
FDC6304P, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 25V drain-source gerilimi, 460mA sürekli dren akımı ve 1.1Ω maksimum RDS(on) değerleri ile tasarlanmıştır. 700mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama uygulamaları, ses sistemleri, güç yönetimi devrelerinde ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 460mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok