Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDC6302P

MOSFET 2P-CH 25V 120MA SSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC6302P

FDC6302P Hakkında

FDC6302P, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj kapasitesi ve 120mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrol devreleriyle uyumludur. 10Ω on-resistance (Rds) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-6 yüzey montajlı paket içerisinde iki P-channel transistör barındırır. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, anahtarlama ve darbe genişliği modülasyonu (PWM) kontrol devreleri, güç yönetimi ve analog switching uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok