Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FDC6301N_G
MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- FDC6301N
FDC6301N_G Hakkında
FDC6301N_G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj desteği ve 220mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle işletilmektedir. 4Ω on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount SOT-23-6 pakette sunulan komponent, anahtar devreleri, PWM kontrol, düşük güç amplifikatörleri ve entegre devre sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 700mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok