Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDC6301N

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC6301N

FDC6301N Hakkında

FDC6301N, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 25V drain-source voltajında maksimum 220mA sürekli drenaj akımı sağlar. 4Ω on-resistance (Rds) değeri ile düşük geçiş kaybı sunar. SSOT-6 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Düşük gate charge (0.7nC) sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri vardır. İşletme sıcaklığı aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Logic level gate özelliği, 5V ve 3.3V kontrol sinyalleriyle doğrudan kullanılmasını sağlar. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı dijital anahtar uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok