Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FDC3601N

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FDC3601N

FDC3601N Hakkında

FDC3601N, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 1A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 500mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygunudur. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 700mW maksimum güç tüketimi ile verimli çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok