Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FD6M045N06
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- EPM15
- Seri / Aile Numarası
- FD6M045N06
FD6M045N06 Hakkında
FD6M045N06, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ile 60A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.5mΩ maksimum drain-source dirençli (Rds On) yapısı ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. EPM15 through-hole paketi ile PCB'ye doğrudan montaj yapılabilir. Güç kaynağı devreleri, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3890pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | EPM15 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | EPM15 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok